Sti製程中最關鍵之處是什麼

STI（Shallow Trench Isolation）製程是半導體製造中用來形成電晶體之間的電介質隔離結構的一種技術。在這個過程中，最關鍵的部分是製造出深度適中、形狀精確且表面平滑的溝槽，這些溝槽將用來隔離不同的電晶體區域，防止電流在不需要的位置流動。

STI製程的關鍵步驟包括：

1. 光刻：使用光刻技術在晶圓表面上形成圖案，定義出需要進行溝槽刻蝕的位置。

2. 蝕刻：使用化學蝕刻或物理蝕刻方法，在定義的位置上刻蝕出溝槽。這一步驟需要精確的控制，以確保溝槽的深度和形狀符合設計要求。

3. 填充：在刻蝕出的溝槽中填充電介質材料，通常是氧化矽（SiO2）或低溫氧化矽（SiLK）。這一步驟需要確保填充物完全填滿溝槽，並且表面平滑，沒有氣泡或空洞。

4. 平坦化：使用化學機械平坦化（CMP）技術或其他方法將填充物和晶圓表面磨平，去除多餘的電介質材料，並確保表面平坦，以便進行後續的製造步驟。

整個STI製程中最關鍵的環節是溝槽的刻蝕和電介質材料的填充與平坦化。這些步驟的質量直接影響到電晶體的性能、功耗和可靠性。因此，製程控制和設備的精確度在STI製程中至關重要。