Canon半導體光刻機的最小光源波長為多少

Canon（佳能）作為一家光刻機製造商，其光刻機的性能參數會根據不同的型號和設計而有所不同。光刻機是半導體製造過程中用來將複雜的電路圖案轉印到晶圓上的關鍵設備。光刻機的性能，包括其最小光源波長，會直接影響晶圓上可實現的最小線寬和製造的晶片性能。

Canon生產的光刻機使用不同的光源波長，從紫外線（UV）的193納米（nm）到極紫外線（EUV）的13.5納米。EUV光刻技術是當前最先進的技術，可以用於製造最細微的電路特徵。

Canon的ArF液浸式光刻機，使用193納米波長的光源，這已經是業界常用的高端光刻機技術，可以實現7納米及以上的工藝節點。而更先進的EUV光刻機，如那些由ASML生產的，使用13.5納米波長的光源，這使得它們能夠製造出更小、更複雜的電路，適用於7納米以下的工藝節點。

需要注意的是，光刻機的性能不僅取決於光源波長，還取決於其他技術參數，如光學系統的解析度、對位精度、機械穩定性等。因此，選擇合適的光刻機需要考慮到製造工藝的特定需求和成本效益。