最小線寬

最小線寬（Minimum Line Width）是指在半導體製造過程中，光刻技術能夠在晶圓上刻畫出來的線的最小寬度。這個參數對於晶片設計和製造來說非常重要，因為它直接影響到晶片上能夠容納的電晶體數量，從而影響到晶片的性能、功耗和成本。

隨著技術的進步，光刻機能夠生產的線寬越來越小，從微米級別逐漸發展到目前的奈米級別。例如，當前最先進的極紫外光（EUV）光刻技術已經能夠生產出7奈米甚至更小的線寬。

最小線寬的進步受到許多因素的限制，包括光刻機的解析度、光刻膠的特性、晶圓處理的精確度、以及電晶體結構的複雜性等。隨著線寬的縮小，製造過程中的難度會大大增加，因此每一代技術的進步都需要大量的研發投入和技術創新。