光學微影的曝光最小線寬為何

光學微影（Optical lithography）是一種用於在半導體製造中形成微小圖案的方法。這種技術使用光線透過一個光罩（reticle或mask）來投影到光刻膠（photoresist）上，從而在晶圓上形成所需的圖案。

光學微影的曝光最小線寬（half-pitch）受到幾個因素的限制，包括光線的波長、光學系統的數值孔徑（numerical aperture，NA）、光罩的解析度以及光刻膠的特性。隨著技術的進步，這些限制已經被逐步突破，使得能夠生產出具有更小線寬的晶片。

在20世紀90年代，光學微影的標準波長為248納米（krypton fluoride雷射）和193納米（argon fluoride雷射）。這些波長的曝光最小線寬約為100納米。

隨著技術的發展，193納米波長的沉浸式光學微影（immersion lithography）技術被引入，其中光線在投影到晶圓之前會穿過水或其他介質，這使得光線的實際波長變得更短，從而提高了解析度。這種技術已經將曝光最小線寬縮小到20納米以下。

此外，極紫外線（EUV）光刻技術已經被開發和應用，其波長為13.5納米，這進一步提高了曝光最小線寬的限制。使用EUV技術，目前已經能夠實現幾納米級別的線寬曝光。

然而，這些技術的發展也面臨著挑戰，包括光罩的製造難度、光刻膠的開發、光學系統的設計以及生產成本等。因此，曝光最小線寬的進一步縮小需要持續的創新和技術進步。