(98學測)目前記憶體技術可達到的資料儲存密度最高為

記憶體技術的資料儲存密度在不斷提高，但具體的最高值會隨著技術的進步而不斷變化。在2009年，98學測（台灣學科能力測驗）的問題可能會有一個特定的答案，但那個答案現在可能已經過時了。

在2009年，三維堆疊的快閃記憶體（3D NAND Flash）技術還未成為主流，而這項技術在提高資料儲存密度方面起到了革命性的作用。隨著3D NAND技術的發展，現在的快閃記憶體可以達到每平方毫米數十億位元（Gb/mm²）的儲存密度。

例如，在2020年代初，一些快閃記憶體產品已經宣稱達到1.3 Tb/mm²的儲存密度，這比2009年的技術水平有了顯著的提升。此外，研究人員和產業界還在繼續探索新的材料和技術，以期進一步提高儲存密度，例如磁阻隨機存取記憶體（MRAM）、阻變隨機存取記憶體（RRAM）和電荷捕獲型快閃記憶體等。

因此，如果你是在尋找2009年的答案，那可能需要參考當時的資料。但如果是在尋找當前的最新資訊，記憶體技術的資料儲存密度已經有了長足的進步，並且在不斷突破新的紀錄。